芯片量产前：多次投片，走过漫长的路

你手上的样片，是什么类型的样片？如果是未经过Corner验证和可靠性测试的，需要多注意~ 这也是很多公司喜欢选择被头部企业验证过的量产芯片原因；

今天，小二和大家介绍下，芯片设计完成后，一般会经过的几次关键投片

本文目录：

(资料图)

什么是MPW？为什么要MPW？

晶圆生产角度真正了解MPW

什么是FullMask

什么是ECO

什么是Corner片

晶圆厂每年都会有固定的几次MPW机会，叫Shuttle （班车），到点即发车，是不是非常形象

不同公司拼Wafer，得有个规则，MPW按SEAT来锁定面积，一个SEAT一般是3mm*4mm的一块区域，一般晶圆厂为了保障不同芯片公司均能参与MPW，对每家公司预定的SEAT数目会限制；（其实SEAT多了，成本也就上去了，MPW意义也没有了）

因为是拼Wafer，因此通过MPW拿到的芯片数目就会很有限，主要用于芯片公司内部做验证测试，也可能会提供给极少数的头部客户；

从这里大家可能已经了解了，MPW是一个不完整的，不可量产的投片；

那，为什么要做MPW呢？

因为芯片投资太贵了，而基于新工艺或者变化较大的新设计，如果设计有问题，投片的最差结果可能是无法点亮，或者关键的功能，性能不及预期，小则几百万，多则上千万打水漂；

MPW投片成本小，一般就小几十万，可以很好降低风险；

需要注意的是，因为MPW从生产角度是一次完整的生产流程，因此其还是一样耗时间，一次MPW一般需要6~9个月，会带来芯片的交付时间后延；

一般而言，MPW晶圆一般最多20个用户分享；

ECO可以发生在Tapeout之前，过程中，或者之后；Tapeout之后的ECO，改动少的可能仅需要改几层Metal layer，改动大的话可能需要动十几层Metal layer，甚至重新流片；

有的芯片设计公司，芯片可以ECO 5次以上，也是刷新了小二的认知；

大家知道，芯片的生产制造是一个化学&物理过程，

工艺偏差（包括掺杂浓度、扩散深度、刻蚀程度等）会导致不同批次晶圆之间，同一批次不同晶圆之间，同一晶圆不同芯片之间的性能都是不相同的

在一片wafer上，不可能每点的载流子平均漂移速度都是一样的，随着电压、温度不同，它们的特性也会不同，把他们分类就有了PVT（Process，Voltage，Temperature）

而Process又分为不同的corner：

TT：Typical N Typical P

FF：Fast N Fast P

SS：Slow N Slow P

FS：Fast N Slow P

SF：Slow N Fast P

为了保证性能，在正式量产前，芯片都会投专门的Corner片，用于验证工艺偏差在设计范围内；

如下是55nm Logic工艺片的例，拟定的corner split table

转自 MMIC求同存异

#1 & #2 两片pilot wafer，一片盲封，一片测CP

#3 & #4 两片hold在Contact，为后道改版预留工程wafer，可以节省ECO流片时间

#5～#12 八片hold在Poly，等pilot的结果看是否需要调整器件速度，并验证corner

除了留有足够的芯片用于测试验证，Metal Fix，还应根据项目需求，预留尽可能多的wafer作为量产出货

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